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产品资料

半导体参数分析仪

如果您对该产品感兴趣的话,可以
产品名称: 半导体参数分析仪
产品型号: TH521-35-1800C
产品展商: 常州同惠
产品文档: 无相关文档

简单介绍

TH521系列半导体参数分析仪是一款用于电路设计的综合解决方案，可帮助电力电子电路设计人员选择适合自身应用的功率器件，让其电力电子产品发挥*大价值。它可以评测器件在不同工作条件下的所有相关参数，包括IV参数（击穿电压和导通电阻）、三端FET电容、栅极电荷和功率损耗。用于电路设计的TH521系列半导体参数分析仪具有完整的曲线追踪仪功能以及其他功能。


半导体参数分析仪  的详细介绍

TH521系列半导体参数分析仪简介：

TH521系列半导体参数分析仪是一款用于电路设计的综合解决方案，可帮助电力电子电路设计人员选择适合自身应用的功率器件，让其电力电子产品发挥*大价值。它可以评测器件在不同工作条件下的所有相关参数，包括IV参数（击穿电压和导通电阻）、三端FET电容、栅极电荷和功率损耗。用于电路设计的TH521系列半导体参数分析仪具有完整的曲线追踪仪功能以及其他功能。

TH521系列半导体参数分析仪特性：

TH521 的常规特性

? 高达 3.5kV/1800A的宽广工作范围

? 从 -50 °C 到 +250 °C 的全自动快速热测试

? 自动创建功率器件（半导体和元器件）的技术资料

? 自动记录功能可防止数据丢失

? AI辅助编写python测试脚本

 

TH521 IV 套件特性

? 可对封装和晶圆上器件进行全自动快速 IV 测量 （Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat 等）

? 窄 IV 脉冲宽度（*窄 10 μs）可防止器件自发热，更准确地测试器件实 际性能

? 示波器视图（时域视图）可以监测实际电压/电流脉冲波形，以便进行准 确测量

? 配置可以灵活扩展，添加 CV 和 Qg，将电流范围从20 A扩展到 200A、 600 A 或1800 A

 

TH521 套件的完整特性

? IV 套件的全部特性

? 测量封装器件在 3.5 kV 时的晶体管输入、输出和反向传输电容 

（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）以及栅极电阻（Rg）

? 测量封装器件的栅极电荷（Qg）曲线

? 计算功率损耗（传导、驱动和开关损耗）

 

TH521系列半导体参数分析仪技术参数：

MCSMU

电压范围、分辨率和精度

电压量程

输出/测量分辨率

输出/测量精度（% + mV + mV）

*大电流

200mV

100nV

±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)

1A

2V

1μV

±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)

1A

20V

10μV

±(0.06 + 3 + Io x 5)

1A

40V

40μV

±(0.06 + 3 + Io x 10)

1A

 

电流范围、分辨率和精度

输出/测量分辨率

输出/测量精度（%+A+A）

*高电压

10μA

10pA

±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)

30V

100μA

100pA

±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)

30V

1mA

1nA

±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)

30V

10mA

10nA

±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)

30V

100mA

100nA

±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)

30V

1A

1uA

±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)

30V

典型分辨率

6?位

*大电压

±30V

*小电流

10pA

脉冲*大占空比

5%（峰值超过100mA时）

脉冲*小宽度

10μs

脉冲*大宽度

100ms（峰值超过100mA时）

直流*大电流

±100mA

脉冲*大峰值

±1A

脉冲*大基值

±50mA（峰值超过100mA时）

 

HCSMU

电压范围、分辨率和精度

电压量程

输出/测量分辨率

输出/测量精度（% + mV + mV）

*大电流

200mV

100nV

±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05)

20A

2V

1μV

±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)

20A

20V

10μV

±(0.06 + 3 + Io x 5)

20A

40V

40μV

±(0.06 + 3 + Io x 10)

1A

 

电流范围、分辨率和精度

输出/测量分辨率

输出/测量精度（%+A+A）

*高电压

10μA

10pA

±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)

40V

100μA

100pA

±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)

40V

1mA

1nA

±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)

40V

10mA

10nA

±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)

40V

100mA

100nA

±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)

40V

1A

1μA

±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)

40V

20A

20μA

±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4)

20V

典型分辨率

6?位

*大电压

±40V

*小电流

10pA

脉冲*大占空比

1%（峰值超过1A时）

脉冲*小宽度

50μs

脉冲*大宽度

1ms（峰值超过1A时）

直流*大电流

±100mA

脉冲*大峰值

±20A

脉冲*大基值

±100mA（峰值超过1A时）

 

MPSMU

电压范围、分辨率和精度

电压量程

输出/测量分辨率

输出/测量精度（% + mV + mV）

*大电流

100mV

100nV

±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)

100mA

1V

1μV

±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)

100mA

10V

10μV

±(0.06 + 3 + Io x 5)

100mA

100V

100μV

±(0.012 + 2.5 + Io x 10)

20mA(≥40V)

50mA(≤40V)

电流范围、分辨率和精度

输出/测量分辨率

输出/测量精度（%+A+A）

*高电压

1nA

1fA

±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15)

100V

10nA

10fA

±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14)

100V

100nA

100fA

±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13)

100V

1μA

1pA

±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12)

100V

10μA

10pA

±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11)

100V

100μA

100pA

±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10)

100V

1mA

1nA

±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9)

100V

10mA

10nA

±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8)

100V

100mA

100nA

±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7)

20V

典型分辨率

6?位

*大电压

±100V

*小电流

1fA

 

HVSMU

电压范围、分辨率和精度

电压量程

输出/测量分辨率

输出/测量精度±(%+mV)

*大电流

200V

200uV

±(0.03+40)

10mA

500V

500uV

±(0.03+100)

10mA

1500V

1.5mV

±(0.03+300)

10mA

3500V

3.5mV

±(0.03+600)

5mA

电流范围、分辨率和精度

输出/测量分辨率

输出/测量精度（%+A+A）

*高电压

10nA

10fA

±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12)

3500V

1μA

1pA

±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12)

3500V

100μA

100pA

±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11)

3500V

10mA

10nA

±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9)

1750V

典型分辨率

6?位

*大电压

±3500V

*小电流

10fA

 

UHCU

电压范围、分辨率和精度

电压量程

输出/测量分辨率

输出/测量精度±(%+mV)

60V

100μV

±(0.2+10)

电流范围、分辨率和精度

输出/测量分辨率

输出/测量精度（%+A+A）

200A

200μA

±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)

600A

500μA

±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)

1800A

2mA

±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo)

脉冲*大占空比

0.4%（600A量程）；0.1%（1800A量程）

脉冲*小宽度

10μs

脉冲*大宽度

1ms（600A量程）；500μs（1800A量程）

脉冲*大峰值

200A、600A、1800A量程

 

MFCMU

 

频率

频率范围

1kHz~10MHz

*小频率分辨率

1mHz

频率精度

±0.05%

 

AC电平

电平范围

0~250mV

分辨率

0.1mVrms

精度

±(10%*设定值+2mV)

 

DC偏置

范围

0~±25V

分辨率

1mV

准确度

1%*设定电压+8mV

输出阻抗

100Ω

测试端配置

四端对

 测试时间

快速2.5ms中速90ms慢速220ms

电容

显示范围

0.00001pF~9.99999F

*高准确度

0.05%


TH521系列半导体参数分析仪选型表：

TH521-35-20

IV: 3500V/20A

TH521-35-20C

IV:   3500V/20A, CV: 10MHz, Qg

TH521-35-200

IV:   3500V/200A

TH521-35-200C

IV:   3500V/200A, CV: 10MHz, Qg

TH521-35-600

IV:   3500V/600A

TH521-35-600C

IV:   3500V/600A, CV: 10MHz, Qg

TH521-35-1800

IV:   3500V/1800A

TH521-35-1800C

IV:   3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg

 

TH521系列半导体参数分析仪应用：

? 半导体功率器件 

二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析

? 半导体材料 

晶圆切割、C-V特性分析

? 液晶材料 

弹性常数分析、液晶切割

? 电容元件 

电容器C-V特性测试及分析，电容式传感器测试分析

 

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